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FDS9431AD84Z

更新时间： 2024-09-15 19:39:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 204K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS9431AD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.37配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.22 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS9431AD84Z 数据手册

 浏览型号FDS9431AD84Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS9431AD84Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS9431AD84Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS9431AD84Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS9431AD84Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS9431AD84Z的Datasheet PDF文件第7页 
September 1999  
FDS9431A  
P-Channel 2.5V Specified MOSFET  
Features  
General Description  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced  
using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS  
technology. This very high density process has been  
especially tailored to minimize on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
•
-3.5 A, -20 V. RDS(ON) = 0.130 Ω @ VGS = -4.5 V  
RDS(ON) = 0.180 Ω @ VGS = -2.5 V.  
• Fast switching speed.  
Applications  
• High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
• DC/DC converter  
• Power management  
• Load switch  
• High power and current handling capability.  
• Battery protection  
D
5
6
7
8
4
D
D
D
3
2
1
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
-20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±
8
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
-3.5  
-18  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
2.5  
W
1.2  
(Note 1c)  
1.0  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°
C
Thermal Characteristics  
(Note 1a)  
(Note 1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
50  
25  
°
°
Rq  
C/W  
C/W  
JA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Rq  
JC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS9431A  
FDS9431A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS9431A Rev. A2  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDS9431AD84Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS9431A-F085 ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，2.5V 指定，MOSFET，-20V，-3.5A，130mΩ
FDS9431AL86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS9431A-TF085 ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，2.5V 指定，MOSFET，-20V，-3.5A，130mΩ
FDS9435A FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS9435A ROCHESTER

获取价格

 		5300mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, SO-8
FDS9435A ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，-5.3A，50mΩ
FDS9435A UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDS9435AL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS9435AL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS9435A-NBAD008 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor

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