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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS9412
FDS9412 PDF预览

FDS9412

更新时间： 2024-09-14 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 232K
描述
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDS9412 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.34
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.9 A最大漏极电流 (ID)：7.9 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS9412 数据手册

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April 2000  
FDS9412  
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced  
• 7.9 A, 30 V.  
RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 36 mΩ @ VGS = 4.5 V  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
• Very low gate charge.  
• High switching speed  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as notebook computer DC-DC  
converter where fast switching, low conduction loss and  
high efficiency are needed.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• High power and current handling capability in a  
widely used surface mount package.  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
7.9  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
24  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
2.5  
PD  
W
1.2  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS9412  
FDS9412  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS9412 Rev D(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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FDS9412 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS8884 FAIRCHILD

类似代替

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NDS9410A FAIRCHILD

类似代替

 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS6630A FAIRCHILD

类似代替

 N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

与FDS9412相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS9412_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS9412A FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8A, 21mOhm
FDS9412D84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS9412L86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDS9431 FAIRCHILD

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 		P-Channel 2.5V Specified MOSFET
FDS9431A FAIRCHILD

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 		P-Channel 2.5V Specified MOSFET
FDS9431A ONSEMI

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FDS9431A_10 FAIRCHILD

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 		P-Channel 2.5V Specified MOSFET
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS9431AD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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