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STS8C5H30L

更新时间： 2024-01-06 11:43:54

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅
页数	文件大小	规格书
11页	445K
描述
LOW GATE CHARGE StripFET III MOSFET

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STS8C5H30L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	SOT	包装说明：	ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	7 weeks
风险等级：	7.89	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.2 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	20 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STS8C5H30L 数据手册

STS8C5H30L

N-CHANNEL 30V - 0.018Ω - 8A SO-8

P-CHANNEL 30V - 0.045Ω - 5A SO-8

LOW GATE CHARGE StripFET™ III MOSFET

Table 1: General Features

Figure 1: Package

TYPE

DSS

DS(on)

STS8C5H30L (N-Channel) 30 V < 0.022 Ω 8 A

STS8C5H30L (P-Channel) 30 V < 0.055 Ω 5 A

■ TYPICAL R

(N-Channel) = 0.018 Ω

(P-Channel) = 0.045 Ω

DS(on)

■ CONDUCTION LOSSES REDUCED

■ SWITCHING LOSSES REDUCED

■ LOW THRESHOLD DRIVE

■ STANDARD OUTLINE FOR EASY

AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY

SO-8

DESCRIPTION

This MOSFET is the latest development of STMi-

croelectronics unique ”Single Feature Size™”

strip-based process. The resulting transistor

shows extremely high packing density for low on-

resistance, rugged avalanche characteristics and

less critical alignment steps therefore a remark-

able manufacturing reproducibility.

Figure 2: Internal Schematic Diagram

APPLICATIONS

■ DC/DC CONVERTERS

■ BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC

EQUIPMENT

■ POWER MANAGEMENT IN CELLULAR

PHONES

■ DC MOTOR DRIVE

Table 2: Order Codes

PART NUMBER

MARKING

PACKAGE

PACKAGING

STS8C5H30L

S8C5H30L

SO-8

TAPE & REEL

Rev. 2

September 2004

1/11

12 3 4 5 6 7...11

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STS8C5H30L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS8928A	FAIRCHILD	功能相似	Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8962C	FAIRCHILD	功能相似	Dual N & P-Channel Power Trench

与STS8C5H30L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STS8C5H30L_07	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 30V - 0.018 ohm - 8A/P-channel 30V - 0.045 ohm - 5A - SO-8 Low gate charge STrip
STS8C5H30L_0707	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 30V - 0.018 Ω - 8A/p-channel 30V -
STS8DN3LLH5	STMICROELECTRONICS	获取价格	Dual N-channel 30 V, 0.0155 Î©, 10 A, SO-8 ST
STS8DN6LF6AG	STMICROELECTRONICS	获取价格	汽车级双路N沟道60 V、21 mOhm典型值、8 A STripFET F6功率MOSF
STS8DNF30L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| SO
STS8DNF3LL	STMICROELECTRONICS	获取价格	DUAL N-CHANNEL 30V - 0.017 ohm - 8A SO-8 LOW
STS8DNF3LL_07	STMICROELECTRONICS	获取价格	Dual N-channel 30V - 0.017OHM - 8A SO-8 Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
STS8DNH3LL	STMICROELECTRONICS	获取价格	DUAL N-CHANNEL 30V - 0.018 OHM - 8A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET III POWER MOSFET
STS8DNH3LL_08	STMICROELECTRONICS	获取价格	Dual n-channel 30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO-8 lo
STS8DPF80	STMICROELECTRONICS	获取价格	2000mA, 80V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-8

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