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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS8962C
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FDS8962C

更新时间： 2024-09-24 21:54:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
Dual N & P-Channel Power Trench

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FDS8962C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.01
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS8962C 数据手册

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February 2005  
FDS8962C  
Dual N & P-Channel PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
These dual N- and P-Channel enhancement mode  
power field effect transistors are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state ressitance and yet maintain superior switching  
performance.  
•
Q1:  
N-Channel  
7.0A, 30V  
RDS(on) = 0.030Ω @ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.044Ω @ VGS = 4.5V  
•
Q2:  
P-Channel  
-5A, -30V  
RDS(on) = 0.052Ω @ VGS = -10V  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
RDS(on) = 0.080Ω @ VGS = -4.5V  
•
•
Fast switching speed  
High power and handling capability in a widely  
used surface mount package  
Q2  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
D1  
D1  
Q1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
±20  
7
30  
±20  
-5  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
20  
-20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
(Note 1c)  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS8962C  
FDS8962C  
13”  
12mm  
2500 units  
FDS8962C Rev A (W)  
2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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FDS8962C 替代型号

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