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FDS8958A-SBND001A

更新时间： 2024-09-15 19:47:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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描述
Transistor

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FDS8958A-SBND001A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

FDS8958A-SBND001A 数据手册

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April 2008

FDS8958A

Dual N & P-Channel PowerTrench^MOSFET

General Description

Features

These dual N- and P-Channel enhancement mode

power field effect transistors are produced using

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench

process that has been especially tailored to minimize

on-state ressitance and yet maintain superior switching

performance.

•

Q1:

N-Channel

7.0A, 30V

R_DS(on)= 0.028Ω @ V_GS= 10V

R_DS(on)= 0.040Ω @ V_GS= 4.5V

•

Q2:

P-Channel

-5A, -30V

R_DS(on)= 0.052Ω @ V_GS= -10V

R_DS(on)= 0.080Ω @ V_GS= -4.5V

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

•

Fast switching speed

High power and handling capability in a widely

used surface mount package

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

±20

-5

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-20

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1c)

1.6

0.9

1.6

0.9

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

(Note 3)

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

R_θJC

°C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS8958A

13”

12mm

2500 units

FDS8958A Rev F3(W)

2008 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7 8

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与FDS8958A-SBND001A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS8958B	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-C
FDS8958B	ONSEMI	获取价格	双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V
FDS8960C	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8960C	ONSEMI	获取价格	双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V
FDS8960C_0511	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDS8962C	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P-Channel Power Trench
FDS8978	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8978	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，7.5A，18mΩ
FDS8978	UMW	获取价格	种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°
FDS8978_07	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET