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FDS8958AD84Z

更新时间： 2024-11-29 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 198K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS8958AD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS8958AD84Z 数据手册

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January 2002  
FDS8958A  
Dual N & P-Channel PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
These dual N- and P-Channel enhancement mode  
power field effect transistors are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state ressitance and yet maintain superior switching  
performance.  
•
Q1:  
7.0A, 30V  
N-Channel  
RDS(on) = 0.028Ω @ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.040Ω @ VGS = 4.5V  
•
Q2:  
-5A, -30V  
P-Channel  
DS(on) = 0.052Ω @ VGS = -10V  
RDS(on) = 0.080Ω @ VGS = -4.5V  
R
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
•
•
Fast switching speed  
High power and handling capability in a widely  
used surface mount package  
Q2  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
D1  
D1  
Q1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
S-
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
Q1  
30  
20  
7
Q2  
30  
20  
-5  
Units  
V
V
A
(Note 1a)  
20  
-20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
1
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS8958A  
FDS8958A  
13”  
12mm  
2500 units  
FDS8958A Rev D1(W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDS8958AD84Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS8958AF011 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958A-F085 ONSEMI

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 		双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V
FDS8958AL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958AS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958A-SBND001A FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDS8958B FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N & P-Channel PowerTrench? MOSFET Q1-N-C
FDS8958B ONSEMI

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 		双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V
FDS8960C FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8960C ONSEMI

获取价格

 		双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V
FDS8960C_0511 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

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