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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.052 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS8949 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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| FDS8949 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，40V，6A，29mΩ |
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| FDS8949 | UMW |
获取价格 |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:40V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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| FDS8949_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFE |
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| FDS8949_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 40V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FDS8949-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40V，6A，29mΩ |
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| FDS8958 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS8958_NF073 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| FDS8958A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| FDS8958A | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V |
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