FDS8958

更新时间： 2024-09-14 22:40:55

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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8页	234K
描述
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS8958 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST SWITCHING	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS8958 数据手册

October 2004

FDS8958

Dual N & P-Channel PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

These dual N- and P-Channel enhancement mode

power field effect transistors are produced using

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench

process that has been especially tailored to minimize

on-state ressitance and yet maintain superior switching

performance.

Q1:

N-Channel

7.0A, 30V

R_DS(on)= 0.028W @ V_GS= 10V

R_DS(on)= 0.040W @ V_GS= 4.5V

Q2:

P-Channel

-5A, -30V

R_DS(on)= 0.052W @ V_GS= -10V

R_DS(on)= 0.080W @ V_GS= -4.5V

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

Fast switching speed

High power and handling capability in a widely

used surface mount package

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

±20

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

-5

I_D

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-20

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

(Note 1c)

0.9

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

R_qJA

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_qJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS8958

13”

12mm

2500 units

FDS8958 Rev A(W)

Ó2004 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7 8

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与FDS8958相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS8958_NF073	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958A	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8958A	ONSEMI	获取价格	双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V
FDS8958A	UMW	获取价格	种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V; P：-30V;持续漏极电
FDS8958A_07	FAIRCHILD	获取价格	Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8958A_08	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET
FDS8958A_10	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8958A_F085	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958A_NF073	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
FDS8958A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,

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