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FDS8958_NF073

更新时间： 2024-11-29 14:50:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 229K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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FDS8958_NF073 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.7其他特性：FAST SWITCHING
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS8958_NF073 数据手册

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October 2004  
FDS8958  
Dual N & P-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
These dual N- and P-Channel enhancement mode  
power field effect transistors are produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state ressitance and yet maintain superior switching  
performance.  
·
Q1:  
N-Channel  
7.0A, 30V  
RDS(on) = 0.028W @ VGS = 10V  
RDS(on) = 0.040W @ VGS = 4.5V  
·
Q2:  
P-Channel  
-5A, -30V  
RDS(on) = 0.052W @ VGS = -10V  
RDS(on) = 0.080W @ VGS = -4.5V  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
·
·
Fast switching speed  
High power and handling capability in a widely  
used surface mount package  
Q2  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
D1  
D1  
Q1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Q1  
30  
±20  
7
Q2  
30  
Units  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
-5  
ID  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
20  
-20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1
(Note 1c)  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS8958  
FDS8958  
13”  
12mm  
2500 units  
FDS8958 Rev A(W)  
Ó2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDS8958_NF073相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS8958A FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8958A ONSEMI

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 		双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V
FDS8958A UMW

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 		种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V; P：-30V;持续漏极电
FDS8958A_07 FAIRCHILD

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 		Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8958A_08 FAIRCHILD

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 		Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS8958A_NF073 FAIRCHILD

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