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FDS8949_F085

更新时间： 2024-09-15 21:16:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 418K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 40V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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FDS8949_F085 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.1
雪崩能效等级（Eas）：26 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.029 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS8949_F085 数据手册

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February 2010  
FDS8949_F085  
tm  
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET  
40V, 6A, 29mΩ  
Features  
General Description  
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced  
„ Max rDS(on) = 29mΩ at VGS = 10V  
„ Max rDS(on) = 36mΩ at VGS = 4.5V  
„ Low gate charge  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench® process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
„ High performance trench technology for extremely low  
rDS(on)  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
„ High power and current handling capability  
„ Qualified to AEC Q101  
Applications  
RoHS compliant  
„
„ Inverter  
„ Power suppliers  
D2  
D2  
D1  
D1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
40  
V
V
±20  
(Note 1a)  
(Note 3)  
6
ID  
A
20  
EAS  
Drain-Source Avalanche Energy  
26  
mJ  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
PD  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance-Single operation, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
81  
135  
40  
Thermal Resistance-Single operation, Junction to Ambient (Note 1b)  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
(Note 1)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
2500 units  
FDS8949  
FDS8949_F085  
13’’  
12mm  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS8949_F085 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123456

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FDS8949_F085 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS8949 FAIRCHILD

类似代替

 Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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 双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，40V，6A，29mΩ

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 		双 N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40V，6A，29mΩ
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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
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FDS8958A ONSEMI

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 		双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V
FDS8958A UMW

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 		种类:N+P-Channel;漏源电压（Vdss）:N：30V; P：-30V;持续漏极电
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