是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 6.9 | 雪崩能效等级(Eas): | 26 mJ |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A | 最大漏极电流 (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.029 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDS8958 | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS8958_NF073 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, | |
FDS8958A | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
FDS8958A | ONSEMI |
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双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V | |
FDS8958A | UMW |
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种类:N+P-Channel;漏源电压(Vdss):N:30V; P:-30V;持续漏极电 | |
FDS8958A_07 | FAIRCHILD |
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Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS8958A_08 | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET | |
FDS8958A_10 | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDS8958A_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, | |
FDS8958A_NF073 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |