是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | MLP |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 3.25 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.7 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.072 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 135 pF | JEDEC-95代码: | MO-229VCCC |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDMA1027PT | FAIRCHILD |
类似代替 |
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20 V, -3 | |
PMDPB65UP,115 | NXP |
功能相似 |
PMDPB65UP - 20 V, 3.5 A dual P-channel Trench MOSFET DFN 6-Pin |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMA1023PZ_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDMA1023PZ-F106 | ONSEMI |
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双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-20V,-3.7A,72mΩ | |
FDMA1024NZ | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 20 V, 5.0 | |
FDMA1024NZ | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,20V,5.0A,54mΩ | |
FDMA1025P | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.1A, 105mohm | |
FDMA1025P | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道,Power Trench® MOSFET,-20V,-3.1A,155mΩ | |
FDMA1025P_08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDMA1027P | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDMA1027P | ONSEMI |
获取价格 |
-20V双P沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDMA1027P_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |