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FDMA1024NZ

更新时间： 2024-01-13 10:40:52

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	250K
描述
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，5.0A，54mΩ

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FDMA1024NZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MLP
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	3.92
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.054 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	65 pF
JEDEC-95代码：	MO-229VCCC	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMA1024NZ 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – Dual N-Channel,

POWERTRENCH⁾

Pin 1

S1 G1 D2

20 V, 5.0 A, 54 m

ꢀ

FDMA1024NZ

D1 G2 S2

WDFN6 2x2, 0.65P

(MicroFETt 2x2)

CASE 511DA

General Description

This is designed specifically as a single package solution for dual

switching requirements in cellular handset and other ultra−portable

applications. It features two independent N−Channel MOSFETs with

low on−state resistance for minimum conduction losses.

The MicroFET t 2x2 package offers exceptional thermal

performance for its physical size and is well suited to linear mode

applications.

MARKING DIAGRAM

&Z&2&K

024

Features

• Max r

= 54 mW at V = 4.5 V, I = 5.0 A

GS D

DS(on)

= 66 mW at V = 2.5 V, I = 4.2 A

024

= Assembly Plant Code

= Numeric Date Code

= Lot Code

= 82 mW at V = 1.8 V, I = 2.3 A

= 114 mW at V = 1.5 V, I = 2.0 A

= Specific Device Code

• HBM ESD Protection Level = 1.6 kV (Note 3)

• Low Profile − 0.8 mm Maximum in the New Package MicroFETt

2 x 2 mm

PIN ASSIGNMENT

• Free from Halogenated Compounds and Antimony Oxides

• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

Applications

• Baseband Switch

• Loadswitch

• DC−DC Buck Converters

MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Drain to Source Voltage

Ratings Unit

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 2

of this data sheet.

Gate to Source Voltage

Drain Current − Continuous (Note 1a)

− Pulsed

5.0

6.0

1.4

0.7

Power Dissipation (Note 1a)

Power Dissipation (Note 1b)

STG

Operating and Storage Junction Temperature

Range

−55 to

+150

°C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

Publication Order Number:

April, 2023 − Rev. 3

FDMA1024NZ/D

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMA1025P	FAIRCHILD	Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.1A, 105mohm	获取价格
FDMA1025P	ONSEMI	双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.1A，155mΩ	获取价格
FDMA1025P_08	FAIRCHILD	Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET	获取价格
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