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FDMA1028NZ

更新时间： 2024-01-13 10:24:44
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 187K
描述
双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V，3.7A，68mΩ

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FDMA1028NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.95
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：0.068 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-229VCCC
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMA1028NZ 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Dual, N-Channel,  
POWERTRENCH)  
V
MAX  
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(on)  
20 V  
68 mꢀ @ 4.5 V  
86 mꢀ @ 2.5 V  
3.7 A  
20 V, 3.7 A, 68 mW  
Pin 1  
S1  
FDMA1028NZ  
G1  
D2  
D1  
D2  
General Description  
D1  
G2  
This device is designed specifically as a single package solution  
for dual switching requirements in cellular handset and other  
ultra−portable applications. It features two independent N−Channel  
MOSFETs with low on−state resistance for minimum conduction  
losses. The MicroFETt 2x2 offers exceptional thermal performance  
for its physical size and is well suited to linear mode applications.  
S2  
WDFN6 2x2, 0.65P  
(MicroFET 2x2)  
CASE 511DA  
MARKING DIAGRAM  
Features  
• 3.7 A, 20 V  
R
R
= 68 mꢀ at V = 4.5 V  
GS  
DS(on)  
&Z&2&K  
028  
= 86 mꢀ at V = 2.5 V  
DS(on)  
GS  
• Low Profile − 0.8 mm Maximum − In the New Package MicroFET  
2x2 mm  
• HBM ESD Protection Level > 2 kV (Note 3)  
• Free from Halogenated Compounds and Antimony Oxides  
• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant  
&Z = Assembly Plant Code  
&2 = 2−Digit Date Code  
&K = 2−Digits Lot Run Traceability Code  
028 = Device Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
PIN CONNECTIONS  
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
20  
Unit  
V
V
DS  
GS  
D1  
V
Gate−Source Voltage  
12  
V
1
2
3
S1  
6
5
4
I
D
Drain Current  
−Continuous (Note 1a)  
−Pulsed  
A
3.7  
6
G1  
D2  
G2  
S2  
P
D
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
W
1.4  
0.7  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
–55 to  
+150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Shipping  
Device  
Package  
THERMAL CHARACTERISTICS  
FDMA1028NZ  
WDFN6  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
Thermal Resistance,  
86 (Single Operation)  
°C/W  
R
ꢁ
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Junction to Ambient (Note 1a)  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1b)  
173 (Single Operation)  
69 (Dual Operation)  
151 (Dual Operation)  
ꢁ
JA  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1c)  
ꢁ
JA  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1d)  
ꢁ
JA  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
April, 2023 − Rev. 3  
FDMA1028NZ/D  
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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