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FDMA410NZ

更新时间： 2024-11-07 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
7页 326K
描述
Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20 V, 9.5 A, 23 mヘ

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FDMA410NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.32
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.5 A
最大漏极电流 (ID)：9.5 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：130 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMA410NZ 数据手册

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September 2008  
FDMA410NZ  
tm  
Single N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® MOSFET  
20 V, 9.5 A, 23 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 23 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 9.5 A  
„ Max rDS(on) = 29 mΩ at VGS = 2.5 V, ID = 8.0 A  
„ Max rDS(on) = 36 mΩ at VGS = 1.8 V, ID = 4.0 A  
„ Max rDS(on) = 50 mΩ at VGS = 1.5 V, ID = 2.0 A  
„ HBM ESD protection level > 2.5 kV (Note 3)  
This Single N-Channel MOSFET has been designed using  
Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to  
optimize the rDS(ON) @ VGS = 1.5 V on special MicroFET  
leadframe.  
Applications  
„ Li-lon Battery Pack  
„ Low Profile-0.8 mm maximum in the new package MicroFET  
2x2 mm  
„ RoHS Compliant  
Pin 1  
G
D
D
Bottom Drain Contact  
D
D
1
2
3
6
5
4
D
D
S
Drain  
Source  
G
D
D
MicroFET 2X2 (Bottom View)  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
S
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
20  
V
V
±8  
9.5  
-Continuous  
-Pulsed  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
ID  
A
24  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.4  
PD  
W
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
52  
°C/W  
145  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
410  
FDMA410NZ  
MicroFET 2X2  
3000 units  
1
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMA410NZ Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
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