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FDMA410NZ

更新时间： 2024-02-06 14:36:38

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC 光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	258K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，1.5 V 指定，20V，9.5A，23mΩ

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FDMA410NZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SON
包装说明：	2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-229, MICROFET-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.37
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	9.5 A
最大漏源导通电阻：	0.023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	130 pF	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMA410NZ 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – Single, N-Channel,

POWERTRENCH⁾,

1.5 V Specified

MAX

I MAX

DS(on)

20 V

23 mW @ 4.5 V

29 mW @ 2.5 V

36 mW @ 1.8 V

50 mW @ 1.5 V

9.5 A

20 V, 9.5 A, 23 mW

FDMA410NZ

Pin 1

Drain

Source

General Description

This Single N−Channel MOSFET has been designed using

onsemi’s advanced POWERTRENCH process to optimize

the R

@ V = 1.5 V on special MicroFETt leadframe.

DS(on)

Features

• Max R

Bottom

= 23 mW at V = 4.5 V, I = 9.5 A

DS(on)

= 29 mW at V = 2.5 V, I = 8.0 A

WDFN6 2x2, 0.65P

(MicroFET 2x2)

CASE 511CZ

= 36 mW at V = 1.8 V, I = 4.0 A

= 50 mW at V = 1.5 V, I = 2.0 A

• HBM ESD Protection Level > 2.5 kV (Note 3)

• Low Profile − 0.8 mm Maximum in the New Package MicroFET

2x2 mm

MARKING DIAGRAM

• Free from Halogenated Compounds and Antimony Oxides

• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant

&Z&2&K

410

Applications

• Li−lon Battery Pack

• Baseband Switch

• Load Switch

&Z = Assembly Plant Code

&2 = 2−Digit Date Code

&K = 2−Digits Lot Run Traceability Code

410 = Specific Device Code

• DC−DC Conversion

PIN ASSIGNMENT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Ratings

Unit

Bottom Drain Contact

Drain Current

− Continuous (Note 1a)

− Pulsed

T = 25°C

9.5

Power Dissipation

− (Note 1a)

− (Note 1b)

T = 25°C

2.4

0.9

T = 25°C

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

−55 to +150

°C

STG

ORDERING INFORMATION

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

†

Device

Package

Shipping

FDMA410NZ

WDFN6

(Pb−Free,

Halide Free)

3000 /

Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

April, 2023 − Rev. 2

FDMA410NZ/D

12 3 4 5 6 7 8

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与FDMA410NZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMA410NZT	ONSEMI	超薄 N 沟道，1.5 V，PowerTrench® MOSFET，20V，9.5A，23	获取价格
FDMA410NZT-F130	ONSEMI	超薄 N 沟道，1.5 V，PowerTrench® MOSFET，20V，9.5A，23	获取价格
FDMA420NZ	FAIRCHILD	Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench M	获取价格
FDMA420NZ	ONSEMI	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，5.7A，30m	获取价格
FDMA420NZ_0609	FAIRCHILD	Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench M	获取价格
FDMA420NZ_08	FAIRCHILD	Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢	获取价格

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