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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MLP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| 其他特性： | ESD PROTECTION | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.068 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-229 | JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FDMA1032CZ_08 | FAIRCHILD | 20V Complementary PowerTrench㈢ MOSFE |
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| FDMA1430JP | FAIRCHILD | Max rDS(on) = 90 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -2 |
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| FDMA1430JP | ONSEMI | 集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和 BJT，-30V，-2.9 |
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| FDMA2002NZ | FAIRCHILD | Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDMA2002NZ | ONSEMI | 双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，2.9A，123mΩ |
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| FDMA2002NZ_08 | FAIRCHILD | Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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