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FDMA1032CZ

更新时间： 2024-11-08 11:11:27

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	234K
描述
20V，互补，PowerTrench® MOSFET

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FDMA1032CZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	0.96
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1010251	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	Transistor	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	MicroFET 2x2	Samacsys Released Date：	2018-12-30 16:13:53
Is Samacsys：	N	其他特性：	ESD PROTECTION
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A
最大漏极电流 (ID)：	3.7 A	最大漏源导通电阻：	0.068 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-229
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDMA1032CZ 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – POWERTRENCH⁾^,

20ꢀV Complementary

N−Channel

MAX

I MAX

DS(on)

20 V

68 mꢀ @ 4.5 V

86 mꢀ @ 2.5 V

3.7 A

N-Channel: 20 V, 3.7 A, 68 mW

P-Channel: -20 V, -3.1 A, 95 mW

P−Channel

MAX

I MAX

DS(on)

−20 V

95 mꢀ @ −4.5 V

141 mꢀ @ −2.5 V

−3.1 A

FDMA1032CZ

General Description

This device is designed specifically as a single package solution

for a DC/DC “Switching” MOSFET in cellular handset and other

ultra−portable applications. It features an independent N−Channel &

P−Channel MOSFET with low on−state resistance for minimum

conduction losses. The gate charge of each MOSFET is also

minimized to allow high frequency switching directly

from the controlling device. The MicroFETt 2x2 package offers

exceptional thermal performance for its physical size and is well

suited to switching applications.

Pin 1

WDFN6 2x2, 0.65P

(MicroFET)

CASE 511DA

Features

MARKING DIAGRAM

Q1: N−Channel

• R

= 68 mꢀ at V = 4.5 V

DS(on)

= 86 mꢀ at V = 2.5 V

&Z&2&K

032

DS(on)

Q2: P−Channel

• R

= 95 mꢀ at V = −4.5 V

DS(on)

= 141 mꢀ at V = −2.5 V

DS(on)

&Z = Assembly Plant Code

&2 = 2−Digit Date Code

&K = 2−Digits Lot Run Traceability Code

• Low Profile − 0.8 mm Maximum − In the New Package MicroFET

2x2 mm

032 = Device Code

• HBM ESD Protection Level > 2 kV (Note 3)

• Free from Halogenated Compounds and Antimony Oxides

• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant

PIN CONNECTIONS

ORDERING INFORMATION

†

Shipping

Device

Package

FDMA1032CZ

WDFN6

(Pb−Free,

Halide Free)

3000 /

Tape & Reel

For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

April, 2023 − Rev. 3

FDMA1032CZ/D

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FDMA1032CZ 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDMA1027P	ONSEMI	功能相似	-20V双P沟道PowerTrench® MOSFET

与FDMA1032CZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDMA1032CZ_08	FAIRCHILD	获取价格	20V Complementary PowerTrench㈢ MOSFE
FDMA1430JP	FAIRCHILD	获取价格	Max rDS(on) = 90 mÎ© at VGS = -4.5 V, ID = -2
FDMA1430JP	ONSEMI	获取价格	集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和 BJT，-30V，-2.9
FDMA2002NZ	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMA2002NZ	ONSEMI	获取价格	双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，2.9A，123mΩ
FDMA2002NZ_08	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDMA291P	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDMA291P	ONSEMI	获取价格	P 沟道，PowerTrench® MOSFET， 1.8V 指定，-20V，-6.6A，
FDMA291P_08	FAIRCHILD	获取价格	Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench㈢
FDMA3023PZ	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -2.

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