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FDMA1027P

更新时间： 2024-01-11 13:42:39

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安森美 - ONSEMI		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	231K
描述
-20V双P沟道PowerTrench® MOSFET

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FDMA1027P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	16 weeks	风险等级：	1.06
Samacsys Description：	MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A	最大漏极电流 (ID)：	2.2 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-229VCCC	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

FDMA1027P 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – Dual, P-Channel,

POWERTRENCH⁾

MAX

I MAX

DSS

DS(on)

−20 V

120 mꢀ @ −4.5 V

−3.0 A

160 mꢀ @ −2.5 V

240 mꢀ @ −1.8 V

-20 V, -3.0 A, 120 mW

FDMA1027P

Pin 1

General Description

This device is designed specifically as a single package solution

for the battery charge switch in cellular handset and other

ultra−portable applications. It features two independent P−Channel

MOSFETs with low on−state resistance for minimum conduction

losses. When connected in the typical common source configuration,

bi−directional current flow is possible.

WDFN6 2x2, 0.65P

(MicroFET 2x2)

CASE 511DA

The MicroFET t 2x2 package offers exceptional thermal

performance for its physical size and is well suited to linear mode

applications.

MARKING DIAGRAM

Features

• −3.0 A, −20 V

&Z&2&K

027

♦ R

= 120 mꢀ at V = −4.5 V

DS(on)

= 160 mꢀ at V = −2.5 V

= 240 mꢀ at V = −1.8 V

• Low Profile − 0.8 mm Maximum − In the New Package MicroFET

2x2 mm

&Z = Assembly Plant Code

&2 = 2−Digit Date Code

&K = 2−Digits Lot Run Traceability Code

027 = Device Code

• Free from Halogenated Compounds and Antimony Oxides

• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant

PIN CONNECTIONS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Ratings

Unit

DSS

MOSFET Drain−Source Voltage

MOSFET Gate−Source Voltage

−20

GSS

Drain Current

−Continuous (Note 1a)

−Pulsed

−3.0

−6

Power Dissipation

(Note 1a)

1.4

0.7

1.8

0.8

(Note 1b)

(Note 1c)

(Note 1d)

ORDERING INFORMATION

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

–55 to

+150

°C

†

STG

Shipping

Device

Package

FDMA1027P

WDFN6

(Pb−Free,

Halide Free)

3000 /

Tape & Reel

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

April, 2023 − Rev. 2

FDMA1027P/D

12 3 4 5 6 7

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与FDMA1027P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMA1027P_06	FAIRCHILD	Dual P-Channel PowerTrench MOSFET	获取价格
FDMA1027P_08	FAIRCHILD	Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET	获取价格
FDMA1027PT	FAIRCHILD	Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20 V, -3	获取价格
FDMA1028NZ	FAIRCHILD	Dual N-Channel PowerTrench MOSFET	获取价格
FDMA1028NZ	ONSEMI	双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V，3.7A，68mΩ	获取价格
FDMA1028NZ_08	FAIRCHILD	Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET	获取价格

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