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FDMA2002NZ

更新时间： 2024-01-25 17:43:40
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 127K
描述
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMA2002NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.9 A
最大漏极电流 (ID)：2.9 A最大漏源导通电阻：0.123 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：30 pF
JEDEC-95代码：MO-229VCCCJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMA2002NZ 数据手册

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May 2006  
FDMA2002NZ  
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET  
General Description  
Features  
• 2.9 A, 30 V RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V  
This device is designed specifically as a single package  
solution for dual switching requirements in cellular  
handset and other ultra-portable applications. It  
features two independent N-Channel MOSFETs with  
low on-state resistance for minimum conduction losses.  
The MicroFET 2x2 offers exceptional thermal  
performance for its physical size and is well suited to  
linear mode applications.  
RDS(ON) = 163 mΩ @ VGS = 2.5 V  
• Low profile – 0.8 mm maximum – in the new package  
MicroFET 2x2 mm  
• RoHS Compliant  
PIN 1  
S1 G1 D2  
D1  
S1  
G1  
D2  
1
2
3
6
5
4
D1  
D2  
G2  
S2  
D1 G2 S2  
MicroFET 2x2  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
V
VGS  
ID  
V
±12  
2.9  
Drain Current – Continuous (TC = 25°C, VGS = 4.5V)  
– Continuous (TC = 25°C, VGS = 2.5V)  
– Pulsed  
2.7  
A
10  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
Operating and Storage Temperature  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.5  
W
0.65  
TJ, TSTG  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
(Note 1d)  
83 (Single Operation)  
193 (Single Operation)  
68 (Dual Operation)  
145 (Dual Operation)  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
002  
FDMA2002NZ  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDMA2002NZ Rev B(W)  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FDMA2002NZ_08 FAIRCHILD Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

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