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FDMA1028NZ

更新时间： 2024-01-02 20:55:11

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安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	187K
描述
双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V，3.7A，68mΩ

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技术参数
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FDMA1028NZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	0.95
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A
最大漏极电流 (ID)：	3.7 A	最大漏源导通电阻：	0.068 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-229VCCC
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDMA1028NZ 数据手册

FDMA1028NZ

TYPICAL CHARACTERISTICS

3.5 V

= 4.5 V

2.0 V

= 2.0 V

2.5 V

1.8

1.6

1.4

1.2

3.0 V

2.5 V

3.0 V

3.5 V

4.5 V

1.5 V

4.0 V

0.8

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

, Drain−Source Voltage (V)

I , Drain Current (A)

Figure 2. On−Resistance Variation with Drain

Figure 1. On−Region Characteristics

Current and Gate Voltage

0.13

1.6

1.5

= 3.7 A

= 1.85 A

= 4.5 V

1.4

1.3

1.2

1.1

0.11

0.09

0.07

T = 125°C

0.9

0.8

0.7

0.6

0.05

0.03

T = 25°C

−50 −25

100 125 150

, Gate to Source Voltage (V)

T , Junction Temperature (5C)

Figure 3. On−Resistance Variation with Temperature

Figure 4. On−Resistance Variation with

Gate−to−Source Voltage

100

= 5 V

= 0 V

25°C

0.1

T = 125°C

0.01

0.001

0.0001

25°C

−55°C

T = 125°C

−55°C

0.5

1.5

2.5

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

, Gate to Source Voltage (V)

, Body Diode Forward Voltage (V)

Figure 5. Transfer Characteristics

Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

www.onsemi.com

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