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FDMA1024NZ

更新时间： 2024-02-21 18:53:42
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 250K
描述
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，5.0A，54mΩ

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FDMA1024NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.92
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.054 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：65 pF
JEDEC-95代码：MO-229VCCCJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMA1024NZ 数据手册

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FDMA1024NZ  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (continued)  
J
Symbol  
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
Maximum Continuous Source−Drain Diode Forward Current  
Parameter  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
I
S
1.1  
1.2  
35  
A
V
V
Source to Drain Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
= 0 V, I = 1.1 A (Note 2)  
0.7  
19  
5
SD  
GS  
S
t
I = 5.0 A, di/dt = 100 A/ms  
F
ns  
nC  
rr  
Q
Reverse Recovery Charge  
10  
rr  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
NOTES:  
2
1. R  
is determined with the device mounted on a 1 in pad 2 oz copper pad on a 1.5 × 1.5 in. board of FR−4 material. R  
is guaranteed  
JC  
q
q
JA  
by design while R  
is determined by the user’s board design.  
q
JA  
2
(a) R  
(b) R  
(c) R  
= 86 °C/W when mounted on a 1 in pad of 2 oz copper, 1.5” x 1.5” x 0.062” thick PCB. For single operation.  
q
JA  
JA  
JA  
= 173 °C/W when mounted on a a minimum pad of 2 oz copper. For single operation.  
q
2
= 69 °C/W when mounted on a 1 in pad of 2 oz copper, 1.5” x 1.5” x 0.062” thick PCB. For dual operation.  
q
(d) R  
= 151 °C/W when mounted on a a minimum pad of 2 oz copper. For dual operation.  
q
JA  
a) 86°C/W when mounted on  
b) 173°C/W when mounted on  
2
a 1 in pad of 2 oz copper.  
a minimum pad of 2 oz copper.  
c) 69°C/W when mounted on  
d) 151°C/W when mounted on  
2
a 1 in pad of 2 oz copper.  
a minimum pad of 2 oz copper.  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 ms, Duty cycle < 2.0%.  
3. The diode connected between the gate and source serves only as protection against ESD. No gate overvoltage rating is implied.  
www.onsemi.com  
3
 
12345678

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