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FDMA1024NZ PDF预览

FDMA1024NZ

更新时间： 2024-01-14 19:02:30
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 250K
描述
双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，5.0A，54mΩ

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FDMA1024NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.92
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.054 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：65 pF
JEDEC-95代码：MO-229VCCCJESD-30 代码：S-PDSO-N6
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMA1024NZ 数据手册

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FDMA1024NZ  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
R
R
R
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1b)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1c)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1d)  
86 (Single Operation)  
173 (Single Operation)  
69 (Dual Operation)  
151 (Dual Operation)  
°C/W  
q
q
q
q
JA  
JA  
JA  
JA  
PACKAGE MARKING AND ORDERING INFORMATION  
†
Device Marking  
Device  
Package  
Shipping  
024  
FDMA1024NZ  
WDFN6 2x2, 0.65P (MicroFET 2x2)  
3000 Units / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging  
Specifications Brochure, BRD8011/D.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
BV  
Drain to Source Breakdown Voltage  
I
I
= 250 mA, V = 0 V  
20  
V
DSS  
D
GS  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
= 250 mA, referenced to 25°C  
19  
DBVDSS  
DTJ  
D
mV/°C  
I
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate to Source Leakage Current  
V
V
= 16 V, V = 0 V  
1
mA  
mA  
DSS  
DS  
GS  
I
=
8 V, V = 0 V  
10  
GSS  
GS  
DS  
ON CHARACTERISTICS  
V
Gate to Source Threshold Voltage  
V
I
= V , I = 250 mA  
0.4  
0.7  
1.0  
V
GS(th)  
GS  
DS  
D
Gate to Source Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
= 250 mA, referenced to 25°C  
−3  
DVGS(th)  
DTJ  
D
mV/°C  
mW  
r
Static Drain to Source On−Resistance  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
V
DD  
= 4.5 V, I = 5.0 A  
37  
43  
52  
67  
51  
16  
54  
66  
DS(on)  
D
= 2.5 V, I = 4.2 A  
D
= 1.8 V, I = 2.3 A  
82  
D
= 1.5 V, I = 2.0 A  
114  
75  
D
= 4.5 V, I = 5.0 A, T = 125°C  
D
J
g
FS  
Forward Transconductance  
= 5 V, I = 5.0 A  
S
D
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
C
Input Capacitance  
V
= 10 V, V = 0 V, f = 1 MHz  
375  
70  
500  
95  
pF  
iss  
DS  
GS  
C
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
oss  
C
40  
65  
rss  
R
f = 1 MHz  
4.3  
W
G
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
Turn*On Delay Time  
Rise Time  
V
V
= 10 V, I = 5.0 A,  
5.3  
2.2  
18  
11  
10  
33  
10  
7.3  
ns  
(on)  
DD  
GS  
D
= 4.5 V, R  
= 6 W  
GEN  
t
r
t
Turn*Off Delay Time  
Fall Time  
D(off)  
t
f
2.3  
5.2  
0.6  
0.9  
Q
Total Gate Charge  
Gate to Source Gate Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
V
= 4.5 V, V = 10 V,  
nC  
g
GS  
DD  
i
= 5.0 A  
D
Q
Q
gs  
gd  
www.onsemi.com  
2
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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