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FDMA1023PZ-F106

更新时间： 2024-01-10 09:42:24

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	228K
描述
双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.7A，72mΩ

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FDMA1023PZ-F106 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.69	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	3.7 A	最大漏源导通电阻：	0.072 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	135 pF
JEDEC-95代码：	MO-229VCCC	JESD-30 代码：	S-PDSO-N6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMA1023PZ-F106 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – Dual, P-Channel,

POWERTRENCH⁾

MAX

I MAX

DS(on)

−20 V

72 mꢀ @ −4.5 V

−3.7 A

95 mꢀ @ −2.5 V

130 mꢀ @ −1.8 V

195 mꢀ @ −1.5 V

-20 V, -3.7 A, 72 mW

FDMA1023PZ

General Description

Pin 1

This device is designed specifically as a single package solution

for the battery charge switch in cellular handset and other

ultra−portable applications. It features two independent P−Channel

MOSFETs with low on−state resistance for minimum conduction

losses. When connected in the typical common source configuration,

bi−directional current flow is possible.

The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal

performance for its physical size and is well suited to linear mode

applications.

WDFN6 2x2, 0.65P

(MicroFET 2x2)

CASE 511DA

MARKING DIAGRAM

Features

• Max R

= 72 mꢀ at V = −4.5 V, I = −3.7 A

GS D

DS(on)

&Z&2&K

023

= 95 mꢀ at V = −2.5 V, I = −3.2 A

= 130 mꢀ at V = −1.8 V, I = −2.0 A

= 195 mꢀ at V = −1.5 V, I = −1.0 A

• Low Profile − 0.8 mm Maximum − In the New Package MicroFET

2x2 mm

&Z = Assembly Plant Code

&2 = 2−Digit Date Code

&K = 2−Digits Lot Run Traceability Code

023 = Device Code

• HBM ESD Protection Level > 2 kV (Note 3)

• Free from Halogenated Compounds and Antimony Oxides

• This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant

PIN CONNECTIONS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Ratings

Unit

−20

Drain Current

−Continuous (Note 1a)

−Pulsed

−3.7

−6

Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.5

0.7

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

–55 to

+150

°C

STG

ORDERING INFORMATION

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

†

Shipping

Device

Package

FDMA1023PZ

WDFN6

(Pb−Free,

Halide Free)

3000 /

Tape & Reel

For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

April, 2023 − Rev. 4

FDMA1023PZ/D

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMA1024NZ	FAIRCHILD	Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 20 V, 5.0	获取价格
FDMA1024NZ	ONSEMI	双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，20V，5.0A，54mΩ	获取价格
FDMA1025P	FAIRCHILD	Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.1A, 105mohm	获取价格
FDMA1025P	ONSEMI	双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-20V，-3.1A，155mΩ	获取价格
FDMA1025P_08	FAIRCHILD	Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET	获取价格
FDMA1027P	FAIRCHILD	Dual P-Channel PowerTrench MOSFET	获取价格

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