5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > DSEE6-06CC
DSEE6-06CC PDF预览

DSEE6-06CC

更新时间： 2024-11-06 03:30:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 509K
描述
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220 Electrically Isolated Back Surface

阅读下载

中文翻译

获取价格

DSEE6-06CC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
其他特性：FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE应用：SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：2相数：1
端子数量：3最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：300 V
最大反向恢复时间：0.02 µs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：35
Base Number Matches：1

DSEE6-06CC 数据手册

 浏览型号DSEE6-06CC的Datasheet PDF文件第2页 
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION  
DSEE 6-06CC  
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode  
IFAV = 6 A  
VRRM = 600 V  
trr = 20 ns  
ISOPLUS220TM  
Electrically Isolated Back Surface  
ISOPLUS 220  
V
RRMc  
VRRM  
V
Type  
E153432  
V
600  
300  
DSEE 6-06CC  
1
2
3
Isolated back surface*  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
IFRMS  
IFAVM  
EAS  
20  
6
A
A
λ
Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
TC = 150°C; rectangular, d = 0.5  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 0.8 A; L = 180 µH  
0.1  
mJ  
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
Low cathode to tab capacitance (<15pF)  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
IAR  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.1  
A
λ
λ
λ
λ
λ
λ
λ
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+175  
175  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
Ptot  
TC = 25°C  
50  
W
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
VISOL  
FC  
50/60 Hz RMS; IISOL ≤ 1 mA  
Mounting force  
typical  
2500  
V~  
11...65 / 2.4...11 N / lb  
Weight  
2
g
Applications  
λ
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
λ
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
Antisaturation diode  
λ
typ.  
max.  
Snubber diode  
λ
Free wheeling diode in converters  
IR  
c
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
25  
0.2  
µA  
mA  
and motor control circuits  
λ
Rectifiers in switch mode power  
VF e  
IF = 10 A;  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
1.35  
1.8  
V
V
supplies (SMPS)  
λ
Inductive heating  
λ
Uninterruptible power supplies (UPS)  
RthJC  
RthCH  
3.0  
K/W  
K/W  
λ
Ultrasonic cleaners and welders  
0.6  
20  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 50 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
Advantages  
λ
Avalanche voltage rated for reliable  
IRM  
VR = 100 V; IF = 10 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
2
A
operation  
λ
Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
λ
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
Notes: Data given for TVJ = 25OC and per diode unless otherwise specified  
c Diodes connected in series  
d Pulse test: pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
e Pulse test: pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2003 IXYS All rights reserved  
DS98915B(07/03)  
12

中文翻译

下载PDF

与DSEE6-06CC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEE8-06CC IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 10A, 300V V(RRM), Silicon, PLASTIC, ISOPLU
DSEE8-08CC IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
DSEI12 IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI-12 IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Dioder (FRED)
DSEI120 IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI1-20.000MHZ MMD

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSEI1-20.000MHZ-3 MMD

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN
DSEI1-20.000MHZ-T MMD

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSEI120-06A IXYS

获取价格

 		Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI120-06A LITTELFUSE

获取价格

 		FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。

与DSEE6-06CC相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证