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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 438K | |
描述 | ||
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.74 | 其他特性: | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, PD-CASE, SNUBBER DIODE |
应用: | FAST SOFT RECOVERY | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 2.6 V |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
最大非重复峰值正向电流: | 70 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 78 W | 参考标准: | IEC-60747 |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 最大反向电流: | 250 µA |
最大反向恢复时间: | 0.07 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI1-8.000MHZ-3 | MMD |
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Series - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN | |
DSEI1-8.000MHZ-T | MMD |
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Series - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN | |
DSEI1-9.999MHZ | MMD |
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Series - Fundamental Quartz Crystal, 9.999MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN | |
DSEI19-06 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI19-06AS | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI19-06AS | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI1X31-06C | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4 | |
DSEI20 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI20-12A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode | |
DSEI20-12A | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 17A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220AC, 2 PIN |