是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | HC-49/US, SMD, 3 PIN |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.60.00.50 |
风险等级: | 5.72 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | AT CUT | 老化: | 5 PPM/FIRST YEAR |
晶体/谐振器类型: | SERIES - FUNDAMENTAL | 驱动电平: | 1000 µW |
频率稳定性: | 0.005% | 频率容差: | 50 ppm |
安装特点: | SURFACE MOUNT | 标称工作频率: | 20 MHz |
最高工作温度: | 105 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
物理尺寸: | L11.5XB4.8XH4.2 (mm)/L0.453XB0.189XH0.165 (inch) | 串联电阻: | 30 Ω |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI1-20.000MHZ-T | MMD |
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Series - Fundamental Quartz Crystal, 20MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN | |
DSEI120-06A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI120-06A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI120-12A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI120-12A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI120-12AZ | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-268AA, | |
DSEI120-12AZ | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI12-04A | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, | |
DSEI12-06A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI12-06A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |