5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 力特 - LITTELFUSE |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 4页 | 242K |  |
| 描述 | ||
| FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-247AD, 2 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 2.29 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, FREEWHEELING, SNUBBER DIODE |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 600 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 126 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 357 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI120-12A | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
| DSEI120-12A | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
|
| DSEI120-12AZ | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-268AA, |
|
| DSEI120-12AZ | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
|
| DSEI12-04A | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, |
|
| DSEI12-06A | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
| DSEI12-06A | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
|
| DSEI12-06AS | IXYS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| DSEI12-06AS | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
|
| DSEI12-08A | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 800V V(RRM), Silicon, |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
