DSEI12-12A

更新时间： 2024-11-20 22:22:07

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IXYS		二极管
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2页	56K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI12-12A 数据手册

DSEI 12 I_FAVM= 11 A

V_RRM= 1200 V

Fast Recovery

Epitaxial Diode (FRED)

t_rr

= 50 ns

TO-220 AC

V_RSM

V_RRM

Type

1200

DSEI 12-12A

A = Anode, C = Cathode

Symbol

I_FRMS

Test Conditions

Maximum Ratings

Features

①

International standard package

T_VJ= T_VJM

150

I_FAVM

I_FRM

①

T_C= 100°C; rectangular, d = 0.5

t_P< 10 ms; rep. rating, pulse width limited by T_VJM

JEDEC TO-220 AC

①

Planar passivated chips

Very short recovery time

Extremely low switching losses

Low I_RM-values

Soft recovery behaviour

Epoxy meets UL 94V-0

I_FSM

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

I²t

T_VJ= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

A²s

Applications

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

A²s

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

①

Antiparallel diode for high frequency

switching devices

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

①

Anti saturation diode

Snubber diode

Free wheeling diode in converters

and motor control circuits

Rectifiers in switch mode power

supplies (SMPS)

Inductive heating and melting

Uninterruptible power supplies (UPS)

Ultrasonic cleaners and welders

P_tot

M_d

T_C= 25°C

0.4...0.6

①

Mounting torque

Weight

Symbol

I_R

①

Test Conditions

Characteristic Values

max.

typ.

Advantages

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C V_R= 0.8 • V_RRM

V_R= V_RRM

V_R= 0.8 • V_RRM

250

150

①

High reliability circuit operation

Low voltage peaks for reduced

protection circuits

Low noise switching

Low losses

Operating at lower temperature or

space saving by reduced cooling

①

V_F

I_F= 12 A;

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

2.2

2.6

①

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

1.65

46.2

①

R_thJC

R_thCK

R_thJA

1.6

K/W

0.5

t_rr

I_F= 1 A; -di/dt = 50 A/ms; V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

I_RM

V_R= 540 V; I_F= 12 A; -di_F/dt = 100 A/ms

L £ 0.05 mH; T_VJ= 100°C

6.5

7.2

① I_FAVMrating includes reverse blocking losses at T_VJM, V_R= 0.8 V_RRM, duty cycle d = 0.5

Data according to IEC 60747

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

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DSEI12-12A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DSEI20-12A	IXYS	类似代替	Fast Recovery Epitaxial Diode
DSEP12-12A	IXYS	类似代替	HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEI12-10A	IXYS	类似代替	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

与DSEI12-12A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSEI12-12AZ	IXYS	获取价格	暂无描述
DSEI12-12AZ	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI1-8.000MHZ-3	MMD	获取价格	Series - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN
DSEI1-8.000MHZ-T	MMD	获取价格	Series - Fundamental Quartz Crystal, 8MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSEI1-9.999MHZ	MMD	获取价格	Series - Fundamental Quartz Crystal, 9.999MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSEI19-06	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI19-06AS	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI19-06AS	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI1X31-06C	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4
DSEI20	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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