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DSEI2X121

更新时间： 2024-11-04 21:54:15

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IXYS		二极管
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI2X121 数据手册

DSEI 2x 121 I_FAVM= 2x 123 A

V_RRM= 200 V

Fast Recovery

Epitaxial Diode (FRED)

t_rr

= 35 ns

miniBLOC, SOT-227 B

E72873

V_RSM

V_RRM

Type

200

DSEI 2x 121-02A

Symbol

I_FRMS

Test Conditions

Maximum Ratings (per diode)

Features

①

International standard package

T_VJ= T_VJM

150

123

600

I_FAVM

I_FRM

①

T_C= 70°C; rectangular, d = 0.5

t_P< 10 ms; rep. rating, pulse width limited by T_VJM

miniBLOC (ISOTOP compatible)

①

Isolation voltage 2500 V~

2 independent FRED in 1 package

Planar passivated chips

Very short recovery time

Extremely low switching losses

Low I_RM-values

I_FSM

T_VJ= 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

1200

1300

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

1080

1170

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

I²t

T_VJ= 45°C

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

7200

7100

A²s

Soft recovery behaviour

T_VJ= 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine

5800

5700

A²s

miniBLOC, SOT-227 B

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+150

150

-40...+150

°C

P_tot

T_C= 25°C

250

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

2500

I_ISOL£ 1 mA

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque (M4)

1.5/13

Nm/lb.in.

Weight

Symbol

M4 screws (4x) supplied

Test Conditions

Characteristic Values (per diode)

Dim.

Millimeter

Inches

Min.

typ.

max.

Min.

Max.

31.50

7.80

31.88

8.20

1.240

0.307

1.255

0.323

I_R

T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C V_R= 0.8 • V_RRM

V_R= V_RRM

V_R= 0.8 • V_RRM

0.5

4.09

4.29

0.161

0.169

4.09

14.91

4.29

15.11

0.161

0.587

0.169

0.595

V_F

I_F= 120 A;

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

0.89

0.95

1.10

30.12

37.80

30.30

38.20

1.186

1.489

1.193

1.505

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.7

2.1

11.68

8.92

12.22

9.60

0.460

0.351

0.481

0.378

0.76

12.60

0.84

12.85

0.030

0.496

0.033

0.506

R_thJC

R_thCK

0.5

K/W

25.15

1.98

25.42

2.13

0.990

0.078

1.001

0.084

0.1

t_rr

I_F= 1 A; -di/dt = 400 A/ms; V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

4.95

26.54

5.97

26.90

0.195

1.045

0.235

1.059

I_RM

V_R= 100 V; I_F= 100 A; -di_F/dt = 200 A/ms

L £ 0.05 mH; T_VJ= 100°C

3.94

4.72

4.42

4.85

0.155

0.186

0.174

0.191

24.59

-0.05

25.07

0.1

0.968

-0.002

0.987

0.004

3.30

0.780

4.57

0.830

0.130

19.81

0.180

21.08

① I_FAVMrating includes reverse blocking losses at T_VJM, V_R= 0.8 V_RRM, duty cycle d = 0.5

Data according to IEC 60747

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSEI2X121-02A	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2X121-02A	LITTELFUSE	获取价格	FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEI2X121-02P	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 123A, 200V V(RRM), Silicon, ECOPAC-12
DSEI2X161-02A	ETC	获取价格	ARRAY OF INDEPENDENT DIODES\|SOT-227B
DSEI2X161-02P	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 165A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-12
DSEI2X161-06P	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2X161-06P	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 147A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-12
DSEI2X161-12P	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSEI2X161-12P	LITTELFUSE	获取价格	快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。利用FRED芯片实现快速反向恢复
DSEI2X30	IXYS	获取价格	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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