5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | R-XUFM-X12 | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 8.38 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1200 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 12 |
| 最大输出电流： | 147 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI2X161-12P | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
| DSEI2X161-12P | LITTELFUSE |
获取价格 |
快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复 |
|
| DSEI2X30 | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
| DSEI2X30-04C | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, MINIBLOC-4 |
|
| DSEI2X30-04C | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
|
| DSEI2X30-05C | ETC |
获取价格 |
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
|
| DSEI2X30-06B | ETC |
获取价格 |
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
|
| DSEI2X30-06C | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
|
| DSEI2X30-06C | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
|
| DSEI2X30-06P | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 30A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8 |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
