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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 559K |  |
| 描述 | ||
| FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.43 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 2.5 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 200 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 28 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.04 µs | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI2X31-12P | IXYS |
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暂无描述 |
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| DSEI2X60-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X61 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X61-02A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X61-02A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X61-04C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X61-05C | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 500V V(RRM), Silicon, |
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| DSEI2X61-06B | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
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| DSEI2X61-06C | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X61-06C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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