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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | R-XUFM-X8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 8.33 |
| 其他特性： | SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE, LOW NOISE | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X8 | 最大非重复峰值正向电流： | 550 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最大输出电流： | 60 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.035 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEI2X61-06C | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X61-06C | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X61-06P | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 600V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8 |
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| DSEI2X61-06P | LITTELFUSE |
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快速双二极管系列提供各种封装和高达1200V的击穿电压。 利用FRED芯片实现快速反向恢复 |
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| DSEI2X61-08B | ETC |
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ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
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| DSEI2X61-10B | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEI2X61-10P | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X61-12 | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X61-12B | IXYS |
获取价格 |
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI2X61-12B | LITTELFUSE |
获取价格 |
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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