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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 535K | |
描述 | ||
FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.56 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE |
应用: | FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.8 V |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 500 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 60 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 180 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1000 V |
最大反向电流: | 500 µA | 最大反向恢复时间: | 0.035 µs |
反向测试电压: | 800 V | 子类别: | Other Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI2X61-10P | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X61-12 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X61-12B | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI2X61-12B | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI2X61-12P | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 52A, 1200V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8 | |
DSEI2X61-12P | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 52A, 1200V V(RRM), Silicon, ECOPAC-8 | |
DSEI30 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI30-04A | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 37A, 400V V(RRM), Silicon, | |
DSEI30-05A | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 37A, 500V V(RRM), Silicon, | |
DSEI30-06A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |