是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PSFM-T2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.44 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, FREEWHEELING, SNUBBER DIODE |
应用: | FAST RECOVERY | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 2.2 V |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T2 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 200 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 26 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 最大功率耗散: | 138 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1200 V |
最大反向恢复时间: | 0.04 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEI35-06AS | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN | |
DSEI36-06 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI36-06AS | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI36-06AS | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEI3-80.000MHZ | MMD |
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Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN | |
DSEI3-80.000MHZ-3 | MMD |
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Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN | |
DSEI60 | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI60-02A | IXYS |
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Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) | |
DSEI60-02A | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 69A, 200V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-247AD, 2 PIN | |
DSEI60-04A | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 400V V(RRM), Silicon, |