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DSEI8-06AS

更新时间： 2024-01-25 21:16:15
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 85K
描述
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

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DSEI8-06AS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.78
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, SNUBBER DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.5 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：95 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：50 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

DSEI8-06AS 数据手册

 浏览型号DSEI8-06AS的Datasheet PDF文件第2页 
DSEI 8 IFAVM = 8 A  
VRRM = 600 V  
Fast Recovery  
Epitaxial Diode (FRED)  
trr  
= 35 ns  
TO-263 AA  
DSEI 8-06AS  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
C
A
NC  
A
640  
640  
600  
600  
DSEI 8-06A  
DSEI 8-06AS  
C (TAB)  
Symbol  
IFRMS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220 AC  
DSEI 8-06A  
C
TVJ = TVJM  
16  
8
A
A
A
IFAVM  
IFRM  
①
TC = 115°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 ms; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
A
C
130  
IFSM  
TVJ = 45°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
100  
110  
A
A
A = Anode, C = Cathode, NC = No connection  
TAB = Cathode  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
85  
95  
A
A
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
I2t  
TVJ = 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
50  
50  
A2s  
A2s  
Features  
International standard package  
TVJ = 150°C; t = 10 ms (50 Hz), sine  
36  
37  
A2s  
A2s  
①
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
JEDEC TO-220 AC & TO-263 AB  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
①
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
①
①
①
Ptot  
Md  
TC = 25°C  
50  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
①
Mounting torque  
①
Weight  
Symbol  
IR  
Applications  
①
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Anti saturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
Test Conditions  
Characteristic Values  
max.  
①
typ.  
①
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
VR = VRRM  
VR = 0.8 • VRRM  
20  
10  
mA  
mA  
①
TVJ = 125°C VR = 0.8 • VRRM  
1.5  
mA  
①
VF  
IF = 8 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.3  
1.5  
V
V
supplies (SMPS)  
Inductive heating and melting  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
①
①
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
0.98  
28.7  
V
mW  
①
RthJC  
RthCK  
RthJA  
2.5  
K/W  
K/W  
K/W  
Advantages  
①
0.5  
High reliability circuit operation  
Low voltage peaks for reduced  
60  
50  
①
protection circuits  
Low noise switching  
Low losses  
Operating at lower temperature or  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 50 A/ms; VR = 30 V; TVJ = 25°C  
35  
ns  
A
①
IRM  
VR = 350 V; IF = 8 A; -diF/dt = 64 A/ms  
L £ 0.05 mH; TVJ = 100°C  
2.5  
2.8  
①
①
space saving by reduced cooling  
① IFAVM rating includes reverse blocking losses at TVJM, VR = 0.8 VRRM, duty cycle d = 0.5  
Data according to IEC 60747  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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DSEI8-06AS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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DSEK300-06A LITTELFUSE

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DSEK30-02A IXYS

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 		HiPerFRED Epitaxial Diode with common cathode and soft recovery
DSEK30-06A IXYS

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