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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 323K |  |
| 描述 | ||
| FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 2.21 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.85 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 325 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 50 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEK60-06A | IXYS |
获取价格 |
Common Cathode Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEK60-06A | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEK60-12A | IXYS |
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Common Cathode Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEK60-12A | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 26A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN |
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| DS-ELITE-1 | RFSOLUTIONS |
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Whatever your switching application the ELITE |
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| DSEP | IXYS |
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HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery |
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| DSEP12-12A | IXYS |
获取价格 |
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
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| DSEP12-12A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEP12-12AZ | IXYS |
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暂无描述 |
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| DSEP12-12AZ | LITTELFUSE |
获取价格 |
HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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