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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEP12-12A
DSEP12-12A PDF预览

DSEP12-12A

更新时间： 2024-01-02 18:58:46
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP12-12A 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE, PD-CASE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：3.96 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：90 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：12 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：95 W
参考标准：IEC-60747最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：100 µA最大反向恢复时间：0.07 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

DSEP12-12A 数据手册

 浏览型号DSEP12-12A的Datasheet PDF文件第2页 
DSEP 12-12A  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
with soft recovery  
IFAV = 15 A  
VRRM = 1200 V  
trr = 40 ns  
TO-220 AC  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
C
A
1200  
1200  
DSEP 12-12A  
C (TAB)  
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
IFRMS  
IFAVM  
35  
15  
A
A
TC = 125°C; rectangular, d = 0.5  
Features  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
90  
A
●
International standard package  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 9 A; L = 180 µH  
8.7  
mJ  
●
●
●
IAR  
VA = 1.25·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.9  
A
●
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
●
●
Ptot  
TC = 25°C  
mounting torque  
typical  
95  
0.4...0.6  
2
W
Nm  
g
Applications  
Md  
●
Weight  
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Antisaturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
●
●
●
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
max.  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Inductive heating  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
●
IR  
●
●
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
100  
0.5  
mA  
mA  
●
●
VF  
IF = 15 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.79  
2.75  
V
V
●
RthJC  
RthCH  
1.6  
K/W  
K/W  
0.5  
40  
Advantages  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 100 A/ms;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
●
Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
Soft reverse recovery for low  
EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
IRM  
VR = 100 V; IF = 25 A; -diF/dt = 100 A/ms  
TVJ = 100°C  
4.5  
A
●
●
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
Pulse test: ● Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
● Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
Dimensions see outlines.pdf  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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