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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEP15-12CR
DSEP15-12CR PDF预览

DSEP15-12CR

更新时间： 2024-11-17 21:55:15
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管局域网软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 24K
描述
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP15-12CR 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-247AD包装说明：R-PSFM-T2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：4.28Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE, UL RECOGNIZED应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.67 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e1
最大非重复峰值正向电流：110 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.015 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEP15-12CR 数据手册

  
DSEP 15-12CR  
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode  
with soft recovery  
IFAV = 15 A  
VRRM = 1200 V  
trr = 20 ns  
(Electrically Isolated Back Surface)  
Preliminary Data  
VRSM  
VRRM  
Type  
ISOPLUS 247TM  
V
V
C
C
A
1200  
1200  
DSEP 15-12CR  
Isolated back surface *  
A = Anode, C = Cathode  
* Patent pending  
Symbol  
Conditions  
MaximumRatings  
IFRMS  
IFAVM  
IFRM  
50  
15  
tbd  
A
A
A
TC = 130°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 µs; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
Features  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
110  
0.1  
A
①
Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
Low cathode to tab capacitance (<25pF)  
International standard package  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 1.0 A; L = 180 µH  
mJ  
IAR  
VA = 1.25·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.1  
A
①
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
①
①
①
Ptot  
TC = 25°C  
150  
2500  
W
V~  
N
①
①
VISOL  
FC  
50/60 Hz RMS; IISOL £ 1 mA  
mounting force with clip  
typical  
①
20...120  
6
①
①
Isolated and UL registered E153432  
Weight  
g
Applications  
①
Antiparallel diode for high frequency  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
switching devices  
Antisaturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Inductive heating  
typ.  
max.  
①
①
IR  
①
①
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
100  
0.5  
µA  
mA  
①
VF  
IF = 15 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
2.67  
4.04  
V
V
①
①
RthJC  
RthCH  
1
K/W  
K/W  
①
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
with heatsink compound  
0.25  
20  
①
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
Advantages  
IRM  
VR = 100 V; IF = 25 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
4.0  
4.9  
A
①
Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
①
①
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
① Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
Dimensions see outlines.pdf  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
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