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DSEP2X60-12A PDF预览

DSEP2X60-12A

更新时间： 2024-11-20 21:55:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 35K
描述
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP2X60-12A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：MINIBLOC-4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：8.52其他特性：FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.52 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X4最大非重复峰值正向电流：800 A
元件数量：2相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：60 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：200 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向电流：4000 µA
最大反向恢复时间：0.04 µs反向测试电压：1200 V
子类别：Other Diodes表面贴装：NO
端子面层：NICKEL端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEP2X60-12A 数据手册

 浏览型号DSEP2X60-12A的Datasheet PDF文件第2页 
DSEP 2x 60-12A  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
with soft recovery  
IFAV = 2x 60 A  
VRRM = 1200 V  
trr = 40 ns  
miniBLOC, SOT-227 B  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
1200  
1200  
DSEP 2x 60-12A  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
IFRMS  
IFAVM  
100  
60  
A
A
TC = 80°C; rectangular, d = 0.5  
Features  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
800  
28  
A
①
International standard package  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 16 A; L = 180 µH  
mJ  
miniBLOC  
Isolation voltage 2500 V~  
UL registered E 72873  
2 independent FRED in 1 package  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
①
IAR  
VA = 1.25·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
1.6  
A
①
①
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
①
①
①
Ptot  
TC = 25°C  
200  
W
①
①
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
2500  
V~  
Soft recovery behaviour  
IISOL ≤ 1 mA  
Applications  
Md  
mounting torque (M4)  
terminal connection torque (M4)  
1.1-1.5/9-13  
1.1-1.5/9-13  
Nm/lb.in.  
Nm/lb.in.  
①
Antiparallel diode for high frequency  
Weight  
typical  
30  
g
switching devices  
Antisaturation diode  
Snubber diode  
Free wheeling diode in converters  
①
①
①
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
max.  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
①
IR  
①
①
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
1
4
mA  
mA  
supplies (SMPS)  
Inductive heating  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
①
①
VF  
IF = 60 A;  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
1.70  
2.42  
V
V
①
RthJC  
RthCH  
0.6  
K/W  
K/W  
Advantages  
0.1  
40  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 400 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
①
Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
Soft reverse recovery for low  
①
IRM  
VR = 100 V; IF = 200 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
8
A
EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
①
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
① Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
Dimensions see Outlines.pdf  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2002 IXYS All rights reserved  
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12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSEP2X61-03A IXYS

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 		HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
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