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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 383K |  |
| 描述 | ||
| FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSIP-T2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE | 应用： | HYPERFAST SOFT RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 2.51 V | JESD-30 代码： | R-PSIP-T2 |
| JESD-609代码： | e1 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 30 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.03 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSEP30-06CR | IXYS |
获取价格 |
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface) |
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| DSEP30-12A | IXYS |
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HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery |
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| DSEP30-12A | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEP30-12AR | IXYS |
获取价格 |
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery |
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| DSEP30-12AR | LITTELFUSE |
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HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEP30-12B | IXYS |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247, |
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| DSEP30-12B | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247, |
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| DSEP30-12CR | IXYS |
获取价格 |
HiPerDynFRED with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface) |
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| DSEP30-12CR | LITTELFUSE |
获取价格 |
HiperDynFRED系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
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| DSEP40-03AS | IXYS |
获取价格 |
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
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