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DSEP60-025A

更新时间： 2024-11-19 23:14:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 18K
描述
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP60-025A 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-247AD包装说明：R-PSFM-T2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.22其他特性：FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：600 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：60 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：250 V
最大反向恢复时间：0.03 µs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSEP60-025A 数据手册

  
DSEP 60-025A  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
with soft recovery  
IFAV = 60 A  
VRRM = 250 V  
trr = 30 ns  
Preliminary data sheet  
TO-247 AD  
A
C
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
C
A
250  
250  
DSEP 60-025A  
C(TAB)  
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
• International standard package  
• Planar passivated chips  
• Very short recovery time  
• Extremely low switching losses  
• Low IRM-values  
IFRMS  
IFAVM  
70  
60  
A
A
TC = 120°C; rectangular, d = 0.5  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
IFSM  
EAS  
600  
1.6  
A
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 3.5 A; L = 180 µH  
mJ  
• Soft recovery behaviour  
• Epoxy meets UL 94V-0  
IAR  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.4  
A
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
Applications  
• Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
• Antisaturation diode  
Ptot  
TC = 25°C  
230  
0.8...1.2  
6
W
Nm  
g
Md  
mounting torque  
typical  
• Snubber diode  
• Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
• Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Weight  
• Inductive heating  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Ultrasonic cleaners and welders  
typ.  
max.  
IR  
①
①
TVJ = 25°C; VR = VRRM  
TVJ = 150°C;VR = VRRM  
650  
2.5  
µA  
mA  
Advantages  
VF  
IF = 60 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.07  
1.31  
V
V
• Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
• Soft reverse recovery for low  
EMI/RFI  
RthJC  
RthCH  
0.65  
K/W  
K/W  
0.25  
30  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 300 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
• Low IRM reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
IRM  
VR = 100 V; IF = 130 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
5
6
A
Dimensions see Outlines.pdf  
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
① Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
1 - 1  
© 2002 IXYS All rights reserved  
1

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