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DSEP6-06BS PDF预览

DSEP6-06BS

更新时间： 2024-02-07 15:17:29
品牌 Logo 应用领域
IXYS 软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252AA, DPAK-3

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DSEP6-06BS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252AA
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.43
其他特性：HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE应用：SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.74 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSEP6-06BS 数据手册

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DSEP6-06BS  
preliminary  
VRRM  
IFAV  
trr  
=
=
=
600 V  
HiPerFRED  
A
6
High Performance Fast Recovery Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Single Diode  
15 ns  
Part number  
DSEP6-06BS  
3
1
Marking on Product: P6QGUI  
Backside: cathode  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Planar passivated chips  
● Very low leakage current  
● Very short recovery time  
● Improved thermal behaviour  
● Very low Irm-values  
● Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
● Antisaturation diode  
● Snubber diode  
● Free wheeling diode  
● Housing: TO-252 (DPak)  
●rIndustry standard outline  
●rEpoxy meets UL 94V-0  
●rRoHS compliant  
● Very soft recovery behaviour  
● Avalanche voltage rated for reliable operation  
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
● Low Irm reduces:  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Uninterruptible power supplies (UPS)  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
R a t i n g s  
Conditions  
Symbol  
VRRM  
IR  
Definition  
min. typ. max. Unit  
TVJ  
600  
50  
V
max. repetitive reverse voltage  
reverse current  
=
=
25°C  
25°C  
µA  
VR = 600V  
VR = 600V  
TVJ  
TVJ = 150°C  
TVJ 25°C  
0.2 mA  
forward voltage  
VF  
IF  
IF  
IF  
IF  
=
=
=
=
6A  
12A  
6A  
=
2.66  
V
V
V
V
A
V
3.30  
1.77  
2.29  
6
T
VJ = 150°C  
12A  
IFAV  
VF0  
rF  
TC = 140°C  
TVJ = 175°C  
average forward current  
threshold voltage  
rectangular  
d = 0.5  
1.13  
for power loss calculation only  
slope resistance  
76 mΩ  
RthJC  
TVJ  
Ptot  
IFSM  
IRM  
2.80 K/W  
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
-55  
175  
55  
°C  
W
A
TC  
=
=
25°C  
45°C  
max. forward surge current  
max. reverse recovery current  
TVJ  
40  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
1.5  
3
A
TVJ = 25°C  
TVJ = 100°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 100°C  
A
IF =  
6 A; VR = 300V  
reverse recovery time  
junction capacitance  
trr  
-diF/dt = 200 A/µs  
15  
60  
5
ns  
ns  
pF  
CJ  
VR = 400 V; f = 1 MHz  
TVJ = 25°C  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
20110915a  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
2011 IXYS all rights reserved  
©
123

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DSEP6-06BS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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