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DSEP9-06CR PDF预览

DSEP9-06CR

更新时间： 2024-11-17 22:22:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 45K
描述
HiPerDynFRED Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP9-06CR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSIP-T2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
其他特性：FREE WHEELING, SNUBBER DIODE, UL RECOGNIZED应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.9 VJESD-30 代码：R-PSIP-T2
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：9 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.015 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：35Base Number Matches：1

DSEP9-06CR 数据手册

 浏览型号DSEP9-06CR的Datasheet PDF文件第2页 
DSEP 9-06CR  
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode  
IFAV = 9 A  
VRRM = 600 V  
trr = 15 ns  
with soft recovery  
(Electrically Isolated Back Surface)  
ISOPLUS 247TM  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
C
A
Isolated back surface *  
600  
600  
DSEP 9-06CR  
A = Anode, C = Cathode  
* Patent pending  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
- High power dissipation  
IFRMS  
IFAVM  
IFRM  
50  
9
tbd  
A
A
A
TC = 140°C; rectangular, d = 0.5  
tP < 10 µs; rep. rating, pulse width limited by TVJM  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
• Lowcathodetotabcapacitance(<25pF)  
• International standard package  
• Planar passivated chips  
• Very short recovery time  
• Extremely low switching losses  
• Low IRM-values  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
80  
A
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 2 A; L = 180 µH  
0.5  
mJ  
IAR  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.2  
A
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
• Soft recovery behaviour  
• Epoxy meets UL 94V-0  
• Isolated and UL registered E153432  
Ptot  
TC = 25°C  
150  
2500  
W
V~  
N
VISOL  
FC  
50/60 Hz RMS; IISOL ≤ 1 mA  
mounting force with clip  
typical  
Applications  
20...120  
6
• Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Weight  
g
• Antisaturation diode  
• Snubber diode  
• Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
• Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
• Inductive heating  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Ultrasonic cleaners and welders  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
max.  
IR  
①
②
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
50  
µA  
0.2  
mA  
VF  
IF = 9 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
2.9  
4.0  
V
V
RthJC  
RthCH  
1
K/W  
K/W  
Advantages  
0.25  
15  
• Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
• Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
• Low IRM reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-onlossinthecommutatingswitch  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
IRM  
VR = 100 V; IF = 10 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
3.5  
4.1  
A
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
② Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
Dimensions see Outlines.pdf  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2004 IXYS All rights reserved  
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