DSEP8-06B

更新时间： 2024-11-18 03:30:39

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IXYS		二极管
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描述
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP8-06B 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AC	包装说明：	R-PSFM-T2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.42	其他特性：	SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE
应用：	HYPERFAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.66 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.03 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DSEP8-06B 数据手册

DSEP 8-06B

HiPerFRED^TMEpitaxial Diode

with soft recovery

I_FAV= 10 A

V_RRM= 600 V

t_rr= 30 ns

Preliminary Data

TO-220 AC

V_RSM

V_RRM

Type

600

DSEP 8-06B

C (TAB)

A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

I_FRMS

I_FAVM

T_C= 125°C; rectangular, d = 0.5

Features

I_FSM

E_AS

T_VJ= 45°C; t_p= 10 ms (50 Hz), sine

●

International standard package

Planar passivated chips

Very short recovery time

Extremely low switching losses

Low I_RM-values

Soft recovery behaviour

Epoxy meets UL 94V-0

T_VJ= 25°C; non-repetitive

I_AS= 0.9 A; L = 180 µH

0.1

●

I_AR

V_A= 1.5·V_Rtyp.; f = 10 kHz; repetitive

0.1

●

T_VJ

T_VJM

T_stg

-55...+175

175

-55...+150

°C

●

P_tot

T_C= 25°C

mounting torque

typical

0.4...0.6

Applications

M_d

●

Weight

Antiparallel diode for high frequency

switching devices

Antisaturation diode

Snubber diode

Free wheeling diode in converters

●

Symbol

Conditions

Characteristic Values

typ.

max.

and motor control circuits

Rectifiers in switch mode power

supplies (SMPS)

Inductive heating

Uninterruptible power supplies (UPS)

Ultrasonic cleaners and welders

●

I_R

●

T_VJ= 25°C V_R= V_RRM

T_VJ= 150°C V_R= V_RRM

0.25

µA

●

V_F

I_F= 10 A;

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

1.66

2.66

●

R_thJC

R_thCH

2.5

K/W

0.5

Advantages

t_rr

I_F= 1 A; -di/dt = 50 A/µs;

V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

●

Avalanche voltage rated for reliable

operation

Soft reverse recovery for low

EMI/RFI

Low I_RMreduces:

I_RM

V_R= 100 V; I_F= 12 A; -di_F/dt = 100 A/µs

T_VJ= 100°C

2.4

●

- Power dissipation within the diode

- Turn-on loss in the commutating

switch

Pulse test: ● Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %

● Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle < 2.0 %

Dimensions see outlines.pdf

Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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DSF	SCHURTER	获取价格	Storage Choke, flat design
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