DSEP60-12A

更新时间： 2024-10-31 23:14:43

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IXYS		二极管
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描述
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP60-12A 数据手册

DSEP 60-12A

HiPerFRED^TMEpitaxial Diode

with soft recovery

I_FAV= 60 A

V_RRM= 1200 V

t_rr= 40 ns

TO-247 AD

V_RSM

V_RRM

Type

1200

DSEP 60-12A

C (TAB)

A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

I_FRMS

I_FAVM

T_C= 90°C; rectangular, d = 0.5

Features

I_FSM

E_AS

T_VJ= 45°C; t_p= 10 ms (50 Hz), sine

500

●

International standard package

Planar passivated chips

Very short recovery time

Extremely low switching losses

Low I_RM-values

Soft recovery behaviour

T_VJ= 25°C; non-repetitive

I_AS= 14.5 A; L = 180 µH

●

I_AR

V_A= 1.25·V_Rtyp.; f = 10 kHz; repetitive

1.5

●

T_VJ

T_VJM

T_stg

-55...+175

175

-55...+150

°C

●

Epoxy meets UL 94V-0

P_tot

T_C= 25°C

mounting torque

typical

230

0.8...1.2

M_d

Applications

Weight

●

Antiparallel diode for high frequency

switching devices

Antisaturation diode

Snubber diode

Free wheeling diode in converters

●

Symbol

Conditions

Characteristic Values

●

typ.

max.

and motor control circuits

Rectifiers in switch mode power

supplies (SMPS)

Inductive heating

Uninterruptible power supplies (UPS)

Ultrasonic cleaners and welders

●

I_R

●

T_VJ= 25°C V_R= V_RRM

T_VJ= 150°C V_R= V_RRM

650

2.5

●

V_F

I_F= 60 A;

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

1.74

2.66

●

R_thJC

R_thCH

0.65

K/W

0.25

Advantages

t_rr

I_F= 1 A; -di/dt = 300 A/ms;

V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

●

Avalanche voltage rated for reliable

operation

Soft reverse recovery for low

I_RM

V_R= 100 V; I_F= 130 A; -di_F/dt = 100 A/ms

T_VJ= 100°C

14.3

●

EMI/RFI

Low I_RMreduces:

●

- Power dissipation within the diode

- Turn-on loss in the commutating

switch

Pulse test: ● Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %

● Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle < 2.0 %

Dimensions see outlines.pdf

Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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DSEP60-12A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DPG30I400HA	IXYS	类似代替	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, TO-247AD, ROHS COMPLIANT,
DSEI60-02A	IXYS	类似代替	Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
DSP25-12A	IXYS	功能相似	Phase-leg Rectifier Diode

与DSEP60-12A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSEP60-12AR	IXYS	获取价格	HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP60-12AR	LITTELFUSE	获取价格	HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP60-12AZ	IXYS	获取价格	暂无描述
DSEP60-12AZ	LITTELFUSE	获取价格	HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP60-12B	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247,
DSEP6-06AS	IXYS	获取价格	HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery
DSEP6-06AS	LITTELFUSE	获取价格	HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。
DSEP6-06AS-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode,
DSEP6-06AS-TUB	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode,
DSEP6-06BS	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon, TO-252AA, DPAK-3

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