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DSEP60-04A

更新时间： 2024-11-17 22:22:07

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IXYS		二极管局域网软恢复二极管
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描述
HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP60-04A 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	R-PSFM-T2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.72	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：	SOFT RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.14 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	600 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	60 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	0.03 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DSEP60-04A 数据手册

DSEP 60-04A

HiPerFRED^TMEpitaxial Diode

with soft recovery

I_FAV= 60 A

V_RRM= 400 V

t_rr= 30 ns

TO-247 AD

V_RSM

V_RRM

Type

400

DSEP 60-04A

C(TAB)

A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode

Symbol

Conditions

Maximum Ratings

Features

• International standard package

• Planar passivated chips

• Very short recovery time

• Extremely low switching losses

• Low I_RM-values

I_FRMS

I_FAVM

T_C= 120°C; rectangular, d = 0.5

T_VJ= 45°C; t_p= 10 ms (50 Hz), sine

I_FSM

E_AS

600

1.6

T_VJ= 25°C; non-repetitive

I_AS= 3.5 A; L = 180 µH

• Soft recovery behaviour

• Epoxy meets UL 94V-0

I_AR

V_A= 1.5·V_Rtyp.; f = 10 kHz; repetitive

0.4

T_VJ

T_VJM

T_stg

-55...+175

175

-55...+150

°C

Applications

• Antiparallel diode for high frequency

switching devices

• Antisaturation diode

P_tot

T_C= 25°C

230

0.8...1.2

M_d

mounting torque

typical

• Snubber diode

• Free wheeling diode in converters

and motor control circuits

• Rectifiers in switch mode power

supplies (SMPS)

Weight

• Inductive heating

Symbol

Conditions

Characteristic Values

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Ultrasonic cleaners and welders

typ.

max.

I_R

①

T_VJ= 25°C; V_R= V_RRM

T_VJ= 150°C;V_R= V_RRM

650

µA

Advantages

V_F

I_F= 60 A;

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

1.01

1.24

• Avalanche voltage rated for reliable

operation

• Soft reverse recovery for low

EMI/RFI

R_thJC

R_thCH

0.65

K/W

0.25

t_rr

I_F= 1 A; -di/dt = 300 A/µs;

V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

• Low I_RMreduces:

- Power dissipation within the diode

- Turn-on loss in the commutating

switch

I_RM

V_R= 100 V; I_F= 130 A; -di_F/dt = 100 A/µs

T_VJ= 100°C

6.0

7.5

Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %

① Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %

Dimensions see Outlines.pdf

Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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