DSEP30-06CR

更新时间： 2024-10-31 22:22:07

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IXYS		二极管
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描述
HiPerDynFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)

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DSEP30-06CR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSIP-T2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.69
其他特性：	SNUBBER DIODE, FREEWHEELING DIODE	应用：	SOFT RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.79 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T2
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	250 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.015 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	35
Base Number Matches：	1

DSEP30-06CR 数据手册

DSEP 30-06CR

HiPerDynFRED^TMEpitaxial Diode

with soft recovery

I_FAV= 30 A

V_RRM= 600 V

t_rr= 20 ns

(Electrically Isolated Back Surface)

Preliminary Data

V_RSM

V_RRM

Type

ISOPLUS 247^TM

600

DSEP 30-06CR

Isolated back surface *

A = Anode, C = Cathode

* Patent pending

Symbol

Conditions

MaximumRatings

I_FRMS

I_FAVM

I_FRM

tbd

T_C= 135°C; rectangular, d = 0.5

t_P< 10 µs; rep. rating, pulse width limited by T_VJM

Features

I_FSM

E_AS

T_VJ= 45°C; t_p= 10 ms (50 Hz), sine

300

1.2

①

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Low cathode to tab capacitance (<25pF)

International standard package

Planar passivated chips

Very short recovery time

Extremely low switching losses

Low I_RM-values

Soft recovery behaviour

Epoxy meets UL 94V-0

T_VJ= 25°C; non-repetitive

I_AS= 3 A; L = 180 µH

I_AR

V_A= 1.5·V_Rtyp.; f = 10 kHz; repetitive

0.3

①

T_VJ

T_VJM

T_stg

-55...+175

175

-55...+150

°C

①

P_tot

T_C= 25°C

250

2500

①

V_ISOL

F_C

50/60 Hz RMS; I_ISOL£ 1 mA

mounting force with clip

typical

①

20...120

①

Isolated and UL registered E153432

Weight

Applications

①

Antiparallel diode for high frequency

Symbol

Conditions

Characteristic Values

switching devices

Antisaturation diode

Snubber diode

Free wheeling diode in converters

and motor control circuits

Rectifiers in switch mode power

supplies (SMPS)

Inductive heating

typ.

max.

①

I_R

①

T_VJ= 25°C V_R= V_RRM

T_VJ= 150°C V_R= V_RRM

250

µA

①

V_F

I_F= 30 A;

T_VJ= 150°C

T_VJ= 25°C

1.79

2.46

①

R_thJC

R_thCH

0.6

K/W

①

Uninterruptible power supplies (UPS)

Ultrasonic cleaners and welders

with heatsink compound

0.25

①

t_rr

I_F= 1 A; -di/dt = 200 A/µs;

V_R= 30 V; T_VJ= 25°C

Advantages

I_RM

V_R= 100 V; I_F= 50 A; -di_F/dt = 100 A/µs

T_VJ= 100°C

4.5

7.0

①

Avalanche voltage rated for reliable

operation

Soft reverse recovery for low EMI/RFI

Low I_RMreduces:

①

- Power dissipation within the diode

- Turn-on loss in the commutating

switch

Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %

① Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %

Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified

Dimensions see outlines.pdf

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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DSEP30-12B	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247,
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DSEP30-12CR	IXYS	获取价格	HiPerDynFRED with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface)
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