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DSEP40-03AS

更新时间： 2024-11-01 03:30:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery

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DSEP40-03AS 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：8.31Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, SNUBBER DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.18 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：40 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：PURE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEP40-03AS 数据手册

  
Advanced Technical Information  
DSEP 40-03AS  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
with soft recovery  
IFAV = 40 A  
VRRM = 300 V  
trr  
= 35 ns  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
TO-263  
C (TAB)  
A
A
300  
300  
DSEP 40-03AS  
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
International standard package  
• Planar passivated chips  
IFRMS  
IFAVM  
35  
40  
A
A
rect., d = 0.5; TC = 120°C  
• Very short recovery time  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
300  
4
A
l
Extremely low switching losses  
• Low IRM-values  
• Soft recovery behaviour  
• Epoxy meets UL 94V-0  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 9 A; L = 100 µH  
mJ  
IAR  
VA = 1.5·VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.9  
A
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+175  
175  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
Applications  
• Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Ptot  
TC = 25°C  
typical  
175  
2
W
g
• Antisaturation diode  
• Snubber diode  
• Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
• Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
• Inductive heating  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Ultrasonic cleaners and welders  
Weight  
Symbol  
Conditions  
Characteristic max. Values  
IR  
①
VR = VRRM; TVJ = 25°C  
VR = VRRM; TVJ = 150°C  
1
100  
µA  
µA  
VF  
②
IF = 40 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.11  
1.42  
V
V
Advantages  
RthJC  
0.85  
K/W  
• Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
• Soft reverse recovery for low  
EMI/RFI  
• Low IRM reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating switch  
VR = 100 V; IF = 40 A;  
-diF/dt = 200 A/µs; TVJ = 25°C  
trr typ.  
IRM typ.  
35  
ns  
A
3.5  
Pulse test: ① Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0%  
② Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0%  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified.  
Dimensions see Outlines.pdf  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2005 IXYS All rights reserved  
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DSEP40-03AS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DSEC16-12AS IXYS

类似代替

 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-2
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