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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 168K | |
描述 | ||
HiperFRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PSIP-T2 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.38 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, UL REGISTERED | 应用: | SOFT RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 2.74 V | JESD-30 代码: | R-PSIP-T2 |
JESD-609代码: | e1 | 最大非重复峰值正向电流: | 200 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 30 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 165 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 最大反向恢复时间: | 0.04 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSEP30-12B | IXYS |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247, | |
DSEP30-12B | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247, | |
DSEP30-12CR | IXYS |
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HiPerDynFRED with soft recovery (Electrically Isolated Back Surface) | |
DSEP30-12CR | LITTELFUSE |
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HiperDynFRED系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEP40-03AS | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP40-03AS | LITTELFUSE |
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FRED低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | |
DSEP40-03AS-TRL | IXYS |
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Rectifier Diode, | |
DSEP40-03AS-TUB | IXYS |
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Rectifier Diode, | |
DSEP60-025A | IXYS |
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HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery | |
DSEP60-03A | IXYS |
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HiPerFREDTM Epitaxial Diode with soft recovery |